Vol 74 No 2
- Vol 271
- Vol 270
- Vol 269
- Vol 268
- Vol 267
- Vol 266
- Vol 265
- Vol 264
- Vol 263
- Vol 262
- Vol 261
- Vol 260
- Vol 259
- Vol 258
- Vol 257
- Vol 256
- Vol 255
- Vol 254
- Vol 253
- Vol 252
- Vol 251
- Vol 250
- Vol 249
- Vol 248
- Vol 247
- Vol 246
- Vol 245
- Vol 244
- Vol 243
- Vol 242
- Vol 241
- Vol 240
- Vol 239
- Vol 238
- Vol 237
- Vol 236
- Vol 235
- Vol 234
- Vol 233
- Vol 232
- Vol 231
- Vol 230
- Vol 229
- Vol 228
- Vol 227
- Vol 226
- Vol 225
- Vol 224
- Vol 223
- Vol 222
- Vol 221
- Vol 220
- Vol 219
- Vol 218
- Vol 217
- Vol 216
- Vol 215
- Vol 214
- Vol 213
- Vol 212
- Vol 211
- Vol 210
- Vol 209
- Vol 208
- Vol 207
- Vol 206
- Vol 205
- Vol 204
- Vol 203
- Vol 202
- Vol 201
- Vol 200
- Vol 199
- Vol 198
- Vol 197
- Vol 196
- Vol 195
- Vol 194
- Vol 193
- Vol 191
- Vol 190
- Vol 192
- Vol 189
- Vol 188
- Vol 187
- Vol 185
- Vol 186
- Vol 184
- Vol 183
- Vol 182
- Vol 181
- Vol 180
- Vol 179
- Vol 178
- Vol 177
- Vol 176
- Vol 174
- Vol 175
- Vol 173
- Vol 172
- Vol 171
- Vol 170 No 2
- Vol 170 No 1
- Vol 169
- Vol 168
- Vol 167 No 2
- Vol 167 No 1
- Vol 166
- Vol 165
- Vol 164
- Vol 163
- Vol 162
- Vol 161
- Vol 160 No 2
- Vol 160 No 1
- Vol 159 No 2
- Vol 159 No 1
- Vol 158
- Vol 157
- Vol 156
- Vol 155 No 2
- Vol 154
- Vol 153
- Vol 155 No 1
- Vol 152
- Vol 151
- Vol 150 No 2
- Vol 150 No 1
- Vol 149
- Vol 147
- Vol 146
- Vol 148 No 2
- Vol 148 No 1
- Vol 145
- Vol 144
- Vol 143
- Vol 140
- Vol 142
- Vol 141
- Vol 139
- Vol 138
- Vol 137
- Vol 136
- Vol 135
- Vol 124
- Vol 130
- Vol 134
- Vol 133
- Vol 132
- Vol 131
- Vol 129
- Vol 128
- Vol 127
- Vol 125
- Vol 126
- Vol 123
- Vol 122
- Vol 121
- Vol 120
- Vol 118
- Vol 119
- Vol 116
- Vol 117
- Vol 115
- Vol 113
- Vol 114
- Vol 112
- Vol 111
- Vol 110
- Vol 107
- Vol 108
- Vol 109
- Vol 105
- Vol 106
- Vol 103
- Vol 104
- Vol 102
- Vol 99
- Vol 101
- Vol 100
- Vol 98
- Vol 97
- Vol 95
- Vol 93
- Vol 94
- Vol 91
- Vol 92
- Vol 85
- Vol 89
- Vol 87
- Vol 86
- Vol 88
- Vol 90
- Vol 83
- Vol 82
- Vol 80
- Vol 84
- Vol 81
- Vol 79
- Vol 78
- Vol 77
- Vol 76
- Vol 75
- Vol 73 No 2
- Vol 74 No 2
- Vol 72 No 2
- Vol 71 No 2
- Vol 70 No 2
- Vol 69 No 2
- Vol 70 No 1
- Vol 56 No 3
- Vol 55 No 3
- Vol 68 No 2
- Vol 69 No 1
- Vol 68 No 1
- Vol 67 No 1
- Vol 52 No 3
- Vol 67 No 2
- Vol 66 No 2
- Vol 64 No 2
- Vol 64 No 1
- Vol 54 No 3
- Vol 65 No 2
- Vol 66 No 1
- Vol 65 No 1
- Vol 53 No 3
- Vol 63 No 1
- Vol 61 No 1
- Vol 62 No 1
- Vol 63 No 2
- Vol 62 No 2
- Vol 61 No 2
- Vol 59 No 2
- Vol 60 No 2
- Vol 51 No 3
- Vol 60 No 1
- Vol 49 No 3
- Vol 50 No 3
- Vol 59 No 1
- Vol 57 No 2
- Vol 58 No 2
- Vol 58 No 1
- Vol 56 No 2
- Vol 57 No 1
- Vol 55 No 2
- Vol 48 No 3
- Vol 56 No 1
- Vol 47 No 3
- Vol 55 No 1
- Vol 54 No 2
- Vol 53 No 2
- Vol 54 No 1
- Vol 52 No 2
- Vol 46 No 3
- Vol 53 No 1
- Vol 52 No 1
- Vol 51 No 2
- Vol 51 No 1
- Vol 50 No 2
- Vol 49 No 2
- Vol 48 No 2
- Vol 50 No 1
- Vol 49 No 1
- Vol 45 No 3
- Vol 47 No 2
- Vol 44 No 3
- Vol 43 No 3
- Vol 42 No 3
- Vol 48 No 1
- Vol 46 No 2
- Vol 45 No 2
- Vol 46 No 1
- Vol 47 No 1
- Vol 44 No 2
- Vol 43 No 2
- Vol 41 No 3
- Vol 42 No 2
- Vol 39 No 3
- Vol 37 No 3
- Vol 45 No 1
- Vol 41 No 2
- Vol 39 No 2
- Vol 44 No 1
- Vol 38 No 2
- Vol 37 No 2
- Vol 38 No 3
- Vol 43 No 1
- Vol 42 No 1
- Vol 41 No 1
- Vol 40
- Vol 39 No 1
- Vol 36 No 2
- Vol 35 No 2
- Vol 38 No 1
- Vol 35 No 3
- Vol 34 No 2
- Vol 34 No 3
- Vol 33 No 2
- Vol 36 No 1
- Vol 37 No 1
- Vol 36 No 3
- Vol 35 No 1
- Vol 34 No 1
- Vol 32 No 3
- Vol 33 No 3
- Vol 32 No 2
- Vol 33 No 1
- Vol 31
- Vol 30 No 3
- Vol 30 No 2
- Vol 30 No 1
- Vol 32 No 1
- Vol 29 No 3
- Vol 29 No 1
- Vol 29 No 2
- Vol 28
- Vol 27 No 1
- Vol 27 No 2
- Vol 26 No 2
- Vol 26 No 1
- Vol 25 No 2
- Vol 25 No 1
- Vol 23
- Vol 24
- Vol 15 No 16
- Vol 22
- Vol 20
- Vol 17 No 18
- Vol 21
- Vol 19
- Vol 13 No 3
- Vol 14
- Vol 13 No 2
- Vol 12 No 3
- Vol 12 No 2
- Vol 13 No 1
- Vol 12 No 1
- Vol 11 No 3
- Vol 11 No 2
- Vol 10 No 3
- Vol 10 No 2
- Vol 11 No 1
- Vol 9 No 2
- Vol 10 No 1
- Vol 9 No 1
- Vol 8
- Vol 7 No 3
- Vol 7 No 2
- Vol 7 No 1
- Vol 6 No 2
- Vol 6 No 1
- Vol 5 No 4-5
- Vol 5 No 2-3
- Vol 5 No 1
- Vol 4 No 5
- Vol 4 No 4
- Vol 4 No 3
- Vol 4 No 2
- Vol 3
- Vol 4 No 1
- Vol 2 No 5
- Vol 2 No 4
- Vol 2 No 3
- Vol 2 No 1
- Vol 2 No 2
- Vol 1 No 5
- Vol 1 No 4
- Vol 1 No 3
- Vol 1 No 2
- Vol 1 No 1
-
Date submitted1976-08-25
-
Date accepted1976-10-08
-
Date published1977-02-01
Формы двойников с входящими углами
- Authors:
- V. A. Mokievskii
- Aliya A.Makhmud
Между гранями сдвойникованных кристаллов часто возникают входящие уг лы, по которым иногда можно определить закон двойникования. Входящие углы, как давно было замечено, способствуют ускоренному росту двойника по сравнению с монокристаллом. Однако при двойниковании входящие углы возникают не всегда. Иногда обобщенные грани сдвойникованных индивидов могут быть параллельными друг другу или образовывать «выходящие» углы ...
-
Date submitted1976-08-01
-
Date accepted1976-10-10
-
Date published1977-02-01
Таблицы ложных простых форм искаженных кристаллов
- Authors:
- I. I. Shafranovskii
- G. I. Shafranovskii
Искаженные кристаллические формы, как неоднократно отмечалось в литературе, являются своеобразными индикаторами симметрии кристаллообразующей среды. К ним относятся формы с пониженной симметрией, (но сравнению с подлинной симметрией данного кристаллического вещества), которые представляют собой комбинации частей истинных просив форм в виде совокупностей граней, связанных элементами внешней (видимой) симметрии кристалла ...
-
Date submitted1976-08-19
-
Date accepted1976-10-25
-
Date published1977-02-01
Симметрия и морфология кристаллов при изгибе
- Authors:
- V A. Mokievskii
- V. P. Fanailova
Изучение элементарного дислокационного механизма пластического течения кристаллов далеко не всегда может дать ответ на вопрос о макроскопическом преобразовании их внешней формы, которая является следствием коллективного движения дислокаций ...
-
Date submitted1976-08-03
-
Date accepted1976-10-04
-
Date published1977-02-01
Исследование структуры и эпитаксиальной связи наращиваемого слоя на поверхности монокристалла меди при диффузии элементов извне
- Authors:
- P. I. Ignatenko
- N. L. Zhuravlev
В связи с тем что процессы ориентированной кристаллизации находят все более широкое применение в различных областях науки и техники, вопросы эпитаксиального роста кристаллов вызывают повышенный интерес ученых и практиков ...
-
Date submitted1976-08-16
-
Date accepted1976-10-05
-
Date published1977-02-01
Об ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примесей
Знание ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примеси К Эф между твердой и жидкой фазами при росте кристаллов из расплава необходимо для правильного проведения легирования с целью получения полупроводниковых кристаллов с заданными свойствам ...
-
Date submitted1976-08-13
-
Date accepted1976-10-13
-
Date published1977-02-01
О морфологии одного образца германия из музея ЛГИ
- Authors:
- M. D. Lyubalin
- E. P. Dudnik
- A. S. Kuznetsov
В минералогический музей ЛГИ поступил эффектный образец германия, представлявшей собой верхнюю часть крупного кристалла, выращенного из расплава по методу вытягивания , устройство для реализации которого показано на рис...
-
Date submitted1976-08-14
-
Date accepted1976-10-20
-
Date published1977-02-01
Анализ дефектности кристаллов кварца
- Authors:
- T. A. Karyakina
Практическая ценность месторождений горного хрусталя в значительной мере определяется качеством кристаллов, которое в большой степени зависит от развития в них различного рода дефектов. Анализ качества сырья необхо дим на всех стадиях промышленного освоения месторождений: от поисков до эксплуатационно-разведочных работ ...
-
Date submitted1976-08-02
-
Date accepted1976-10-02
-
Date published1977-02-01
Принципы аналитического выражения анатомии кристаллов (при меняющихся условиях минералообразования
- Authors:
- V. Yu. Eshkin
- T. A. Karyakina
Физико-химические условия минералообразования в природных условиях редко остаются постоянными, испытывая постепенные либо пульсагаонные изменения, что находит свое отражение в зональном и векториальном строениях индивидов ...
-
Date submitted1976-08-26
-
Date accepted1976-10-09
-
Date published1977-02-01
Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского
- Authors:
- M. D. Lyubalin
- A. I. Pogodin
В промышленном производстве полупроводникового кремния внешней форме монокристаллов уделяется большое внимание. Установлено, что непосредственно в процессе выращивания из расплава по некоторым особенностям формы кристаллов мокко составить представление об их внутреннем строении, в том числе о дислокационной структуре ....
-
Date submitted1976-08-05
-
Date accepted1976-10-08
-
Date published1977-02-01
Особенности строения и процессы метаморфизма ледяных пород Антарктиды близ станции Мирный
- Authors:
- Yu. M. Chashchinov
В настоящей работе приведены результаты исследования строения верхних (в диапазоне 0-250 м) горизонтов толщи антарктического льда с участка, находящегося в 50 км к югу от станции Мирный. Материалом исследования служил керн льда диаметром 180 мм, полученный из вертикальной скважины ...
-
Date submitted1976-08-07
-
Date accepted1976-10-12
-
Date published1977-02-01
Природа оптической ориентировки кристаллов льда в лещиновом покрове континентальной Антарктиды
- Authors:
- V. G. Portnov
Изучение характера и природы кристаллооптической ориентировки в ледниковом покрове представляет весьма трудоемкую, но чрезвычайно важную задачу. Это связано с тем, что пространственное положение главных осей зерен отражает глубоко скрытые внутренние характеристики город, самым тесным образом взаимосвязанные с особенностями формирования ледникового щита в целом
-
Date submitted1976-08-21
-
Date accepted1976-10-05
-
Date published1977-02-01
Некоторые особенности формирования гнезд с кристаллами кварца
- Authors:
- V. Yu. Eshkin
При рассмотрении условий формирования хрустальных гнезд постоянно возникает вопрос о динамике минералообразующих растворов. Неоднократно высказывалось предположение о застойном состояния растворов внутри гнезд, что привело некоторых исследователей к выводу о развитии яри регрессивной ста дии метаморфизма процессов хрусталеобразования в условиях закрытой физико-химической системы ...
-
Date submitted1976-08-20
-
Date accepted1976-10-18
-
Date published1977-02-01
Закономерности образования включений раствора в кристаллах, выращенных из раствора в расплаве
- Authors:
- B. G. Ivanov
Особенности образования кристаллов непосредственно отражается на развитий в них внутренних дефектов, присутствующих во всех реальных кристаллах и определяющих их качество. Качество является основным, а в настоящее время и единственно надежным критерием для оценки пригодности применяемых режимов выращивания, поэтому установление связи между ренинами роста и условиями образования дефектов представляет важную для практики задачу
-
Date submitted1976-08-10
-
Date accepted1976-10-13
-
Date published1977-02-01
О номенклатуре простых форм кубической сингонии
- Authors:
- E. V. Nefedova
- I. I. Shafranovskii
Названия простых кристаллографических форм, предложенные в 1924 г. по инициативе проф. А.К .Болдырева Федоровским институтом, подучили самое ши рокое распространение и признание. Об этом свидетельствует высказывание известных зарубежных кристаллографов И.Д.Х. Донная и Х.Кюрьена, выступав ших в Комитете по номенклатуре Французского минералогического и кристаллографического общества з 1958 г.: "Принципы, на которых должна основываться удовлетворительная терминология форм, известны. Мы этим обязаны главным образом Гроту и кристаллографам Федоровского института <...> Описанная здесь номенклатура используется с некоторыми незначительными вариантами на языках: немецком, английском, испанском, итальянском, голландском, рус ском" ...
-
Date submitted1976-08-16
-
Date accepted1976-10-14
-
Date published1977-02-01
Образование двойников цинкита с симметрией 6/m’mm и влияние двойниковых границ на скорость роста граней
- Authors:
- V. P. Gurylev
- V. A. Mokievskii
Для кристаллов цинкита ZnO характерна точечная группа симметрии 6 тт и структура типа ворцита р63 m с . Обычно кристаллы цинкита, получаемые как из газовой фазы, так и гидротермальным методом, имеет призматическо- пирамидальный габитус ж формируются гранями (0001), (0001), (1010), (1011) ...