Submit an Article
Become a reviewer
Vol 74 No 2
Pages:
80
Download volume:

Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского

Authors:
M. D. Lyubalin
A. I. Pogodin
Date submitted:
1976-08-26
Date accepted:
1976-10-09
Date published:
1977-02-01

Abstract

В промышленном производстве полупроводникового кремния внешней форме монокристаллов уделяется большое внимание. Установлено, что непосред­ственно в процессе выращивания из расплава по некоторым особенностям фор­мы кристаллов мокко составить представление об их внутреннем строении, в том числе о дислокационной структуре ....

Go to volume 74

References

  1. Антонов П.И., Григорьев Н.С., Вахмянин Л.П Фотогоннография профилированных кристаллов германия. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1972, т, 34, № 3.
  2. Бевэ В.Е., Осовский М.И., Фальковкч Э.С. Влияние условий роста на внешнюю форму монокристаллов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 10. М., „Наука", 1974.
  3. Бузынин А.Н., Блецхан Н.И., Шефталь Н.Н. Образование дислокаций в кристаллах кремния. В кн.: Проблемы кристаллологии. Изд-во МГУ, 1976.
  4. Любалин М.Д. Фотогониометрия кристаллов германия, выращенных по методу Чохральского. Зап. ЛГИ, 1968, т. 54, вып. 2.
  5. Любалин М.Д., Мокиевский В. А. Форма кристаллов германия, полученных но Чохральскому. "Кристаллография", 1968, т. 13, № 4.
  6. Любалин М.Д. Морфология кристаллов, вытягиваемых из расплавов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972.
  7. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972. Авт.: Э.С.Фалькевич, Н.И.Блецкан, К.И.Неймарк, М.И.Осовский.
  8. Строителев С.А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. Форма роста бездяслокациокных монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.2. Новосибирск, „Наука", 1975.
  9. Шафpановский И.И. Внешняя симметрия рояльных кристаллов и симметрия питающей среды. Зап. ВМО, 1954, ч. 83, вып. 3.
  10. Шашков Ю.М., Шущлебина И.Я. Причины появления примесных полос при выращивании монокристаллов кремния. В кн.: Материалы I Coвещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., Изд-во АН СССР, 1968.

Similar articles

Закономерности образования включений раствора в кристаллах, выращенных из раствора в расплаве
1977 B. G. Ivanov
Анализ дефектности кристаллов кварца
1977 T. A. Karyakina
Исследование структуры и эпитаксиальной связи наращиваемого слоя на поверхности монокристалла меди при диффузии элементов извне
1977 P. I. Ignatenko, N. L. Zhuravlev
Природа оптической ориентировки кристаллов льда в лещиновом покрове континентальной Антарктиды
1977 V. G. Portnov
Об ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примесей
1977 M. D. Lyubalin, V. N. Tretyakov, V. A. Mokievskii
Симметрия и морфология кристаллов при изгибе
1977 V A. Mokievskii, V. P. Fanailova