2411-3336 2541-9404 Записки Горного института Journal of Mining Institute Санкт-Петербургский горный университет императрицы Екатерины ΙΙ Empress Catherine II Saint Petersburg Mining University pmi-11215 https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/11215 Без раздела Without section Some peculiarities of morphology of silicon crystals grown by Czochralskii method Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского Lyubalin M. D. Любалин М. Д. Lyubalin M. D. pmi@spmi.ru (Россия) (Russia) Pogodin A. I. Погодин А. И. Pogodin A. I. pmi@spmi.ru (Россия) (Russia) 01 02 1977 1977 74 2 80 84 26 08 1976 09 10 1976 01 02 1977 © M. D. Lyubalin, A. I. Pogodin 1977 М. Д. Любалин, А. И. Погодин M. D. Lyubalin, A. I. Pogodin CC BY 4.0 https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/11215

В промышленном производстве полупроводникового кремния внешней форме монокристаллов уделяется большое внимание. Установлено, что непосред­ственно в процессе выращивания из расплава по некоторым особенностям фор­мы кристаллов мокко составить представление об их внутреннем строении, в том числе о дислокационной структуре ....

In the industrial production of semiconductor silicon, the external shape of single crystals has received much attention. It has been found that directly in the process of growing from the melt by some features of the shape of mocco crystals one can get an idea of their internal structure, including the dislocation structure .....

 Антонов П.И., Григорьев Н.С., Вахмянин Л.П Фотогоннография профилированных кристаллов германия. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1972, т, 34, № 3. Antonov P.I., Grigoriev N.S., Vakhmyanin L.P Photogonnography of profiled crystals of germanium. Proc. of the USSR Academy of Sciences. Physical Series, 1972, vol. 34, № 3. Бевэ В.Е., Осовский М.И., Фальковкч Э.С. Влияние условий роста на внешнюю форму монокристаллов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 10. М., „Наука", 1974. Beve V.E., Osovsky M.I., Falkovkch E.S. Influence of growth conditions on the external shape of single crystals. In: Growth of Crystals. V. 10. M., Nauka , 1974. Бузынин А.Н., Блецхан Н.И., Шефталь Н.Н. Образование дислокаций в кристаллах кремния. В кн.: Проблемы кристаллологии. Изд-во МГУ, 1976. Buzynin A.N., Bletskhan N.I., Sheftal N.N. Dislocation Formation in Silicon Crystals. In the book: Problems of Crystallology. PH of MSU, 1976. Любалин М.Д. Фотогониометрия кристаллов германия, выращенных по методу Чохральского. Зап. ЛГИ, 1968, т. 54, вып. 2. Lubalin M.D. Photogoniometry of germanium crystals grown by the Czochralskii method. Journal of Mining Institute, 1968, vol. 54, iss. 2. Любалин М.Д., Мокиевский В. А. Форма кристаллов германия, полученных но Чохральскому. "Кристаллография", 1968, т. 13, № 4. Lubalin M.D., Mokievsky V. A. Shape of germanium crystals obtained by the Czochralskii method. Crystallography , 1968, vol. 13, № 4. Любалин М.Д. Морфология кристаллов, вытягиваемых из расплавов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972. Lubalin M.D. Morphology of crystals drawn from melts. In the book: Growth of Crystals. V. 9. M., Nauka , 1972. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972. Авт.: Э.С.Фалькевич, Н.И.Блецкан, К.И.Неймарк, М.И.Осовский. Peculiarities of appearance of dyslocation-free silicon single crystals. In the book: Growth of Crystals. V. 9. M., Nauka , 1972. Authors: E.S.Falkevipart N.I.Bletskan, K.I.Neimark, M.I.Osovsky. Строителев С.А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. Форма роста бездяслокациокных монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.2. Новосибирск, „Наука", 1975. Stroitelev S.A., Kamarali V.V., Muravitskii S.A. Growth form of silicon single crystals grown by the method of non-tigel zone melting. In the book: Processes of Growth and Synthesis of Semiconductor Crystals and Films. Part 2. Novosibirsk, Nauka , 1975. Шафpановский И.И. Внешняя симметрия рояльных кристаллов и симметрия питающей среды. Зап. ВМО, 1954, ч. 83, вып. 3. Shafranovsky I.I. External symmetry of swarming crystals and symmetry of the feeding medium. Proc. AMS, 1954, part 83, vol. 3. Шашков Ю.М., Шущлебина И.Я. Причины появления примесных полос при выращивании монокристаллов кремния. В кн.: Материалы I Coвещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., Изд-во АН СССР, 1968. Shashkov Y.M., Shushchlebina I.Ya. Reasons for the appearance of impurity bands during the growth of silicon single crystals. In the book: Materials of the I Meeting on Semiconductor Single Crystals Production by Stepanov Method and Prospects of Their Application in Instrument Engineering. L., PH of the USSR Academy of Sciences, 1968.