Подать статью
Стать рецензентом
Том 74 № 2
Страницы:
80
Скачать том:
RUS

Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского

Авторы:
М. Д. Любалин
А. И. Погодин
Дата отправки:
1976-08-26
Дата принятия:
1976-10-09
Дата публикации:
1977-02-01

Аннотация

В промышленном производстве полупроводникового кремния внешней форме монокристаллов уделяется большое внимание. Установлено, что непосред­ственно в процессе выращивания из расплава по некоторым особенностям фор­мы кристаллов мокко составить представление об их внутреннем строении, в том числе о дислокационной структуре ....

Перейти к тому 74

Литература

  1. Антонов П.И., Григорьев Н.С., Вахмянин Л.П Фотогоннография профилированных кристаллов германия. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1972, т, 34, № 3.
  2. Бевэ В.Е., Осовский М.И., Фальковкч Э.С. Влияние условий роста на внешнюю форму монокристаллов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 10. М., „Наука", 1974.
  3. Бузынин А.Н., Блецхан Н.И., Шефталь Н.Н. Образование дислокаций в кристаллах кремния. В кн.: Проблемы кристаллологии. Изд-во МГУ, 1976.
  4. Любалин М.Д. Фотогониометрия кристаллов германия, выращенных по методу Чохральского. Зап. ЛГИ, 1968, т. 54, вып. 2.
  5. Любалин М.Д., Мокиевский В. А. Форма кристаллов германия, полученных но Чохральскому. "Кристаллография", 1968, т. 13, № 4.
  6. Любалин М.Д. Морфология кристаллов, вытягиваемых из расплавов. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972.
  7. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния. В кн.: Рост кристаллов. Т. 9. М., „Наука", 1972. Авт.: Э.С.Фалькевич, Н.И.Блецкан, К.И.Неймарк, М.И.Осовский.
  8. Строителев С.А., Камарали В.В., Муравицкий С.А. Форма роста бездяслокациокных монокристаллов кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.2. Новосибирск, „Наука", 1975.
  9. Шафpановский И.И. Внешняя симметрия рояльных кристаллов и симметрия питающей среды. Зап. ВМО, 1954, ч. 83, вып. 3.
  10. Шашков Ю.М., Шущлебина И.Я. Причины появления примесных полос при выращивании монокристаллов кремния. В кн.: Материалы I Coвещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., Изд-во АН СССР, 1968.

Похожие статьи

Принципы аналитического выражения анатомии кристаллов (при меняющихся условиях минералообразования
1977 В. Ю. Эшкин, Т. А. Карякина
Особенности строения и процессы метаморфизма ледяных пород Антарктиды близ станции Мирный
1977 Ю. М. Чащинов
О номенклатуре простых форм кубической сингонии
1977 Е. В. Нефедова, И. И. Шафрановский
Симметрия и морфология кристаллов при изгибе
1977 В А. Мокиевский, В. П. Фанаилова
Анализ дефектности кристаллов кварца
1977 Т. А. Карякина
Закономерности образования включений раствора в кристаллах, выращенных из раствора в расплаве
1977 Б. Г. Иванов