Исследование структуры и эпитаксиальной связи наращиваемого слоя на поверхности монокристалла меди при диффузии элементов извне
Abstract
В связи с тем что процессы ориентированной кристаллизации находят все более широкое применение в различных областях науки и техники, вопросы эпитаксиального роста кристаллов вызывают повышенный интерес ученых и практиков ...
References
- Архаров В.И., Игнатенко П.И. Исследование продуктов реакции при насыщении монокристалла меди парами цинка над цинком. В кн.: Физика твердого тела. Киев-Донецк, „Вища школа", 1975, вып. 5.
- Архаров В.И. О роли внешней адсорбции в механизме реакционной диффузии. В кн.: Физика твердого тела. Изд-во Харьков, гос. ун-та, 1970, вып. I.
- Бугаков В.З. Диффузия в металлах и сплавах; М.,-Л., ГИТТЛ, 1949.
- Игнатенко П.И. Исследование продуктов реакции на поверхности монокристалла меди при диффузии цинка из р -латуни. В кн.: Физика твердого тела. Киев-Донецк, .Вита школа", 1975, вып. 5.
- Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М., "Наука", 1971.
- Робинсон П.М., Бавер М.В. Термодинамические свойства. В кн.: Интерметаллические соединения. Перев. с англ. М., "Металлургия", 1970.
- Розбери Ф. Справочник по вакуумной технике и технологии. Перев. с англ. М., .Энергия', 1972.
- Чистяков ЮЛ. Механизм процесса ориентированного нарастания кристаллических веществ. В кн.: Рост кристаллов. Т. 8. М., "Наука", 1968.
- Шефталь Р.Н. Процессы эпитаксиального роста монокристаллических пленок. В кн.: Рост кристаллов. Т. 10. М., "Наука". 1974.
- Шефталь H.H. Предисловие к кн.: Кристаллизация из газовой фазы. М., "Мир", 1965.
Similar articles
Некоторые особенности морфологии кристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского
1977 M. D. Lyubalin, A. I. Pogodin
Об ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примесей
1977 M. D. Lyubalin, V. N. Tretyakov, V. A. Mokievskii