Исследование структуры и эпитаксиальной связи наращиваемого слоя на поверхности монокристалла меди при диффузии элементов извне
Аннотация
В связи с тем что процессы ориентированной кристаллизации находят все более широкое применение в различных областях науки и техники, вопросы эпитаксиального роста кристаллов вызывают повышенный интерес ученых и практиков ...
Область исследования:
(Архив) Без раздела
Финансирование:
Отсутствует
Литература
- Архаров В.И., Игнатенко П.И. Исследование продуктов реакции при насыщении монокристалла меди парами цинка над цинком. В кн.: Физика твердого тела. Киев-Донецк, „Вища школа", 1975, вып. 5.
- Архаров В.И. О роли внешней адсорбции в механизме реакционной диффузии. В кн.: Физика твердого тела. Изд-во Харьков, гос. ун-та, 1970, вып. I.
- Бугаков В.З. Диффузия в металлах и сплавах; М.,-Л., ГИТТЛ, 1949.
- Игнатенко П.И. Исследование продуктов реакции на поверхности монокристалла меди при диффузии цинка из р -латуни. В кн.: Физика твердого тела. Киев-Донецк, .Вита школа", 1975, вып. 5.
- Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М., "Наука", 1971.
- Робинсон П.М., Бавер М.В. Термодинамические свойства. В кн.: Интерметаллические соединения. Перев. с англ. М., "Металлургия", 1970.
- Розбери Ф. Справочник по вакуумной технике и технологии. Перев. с англ. М., .Энергия', 1972.
- Чистяков ЮЛ. Механизм процесса ориентированного нарастания кристаллических веществ. В кн.: Рост кристаллов. Т. 8. М., "Наука", 1968.
- Шефталь Р.Н. Процессы эпитаксиального роста монокристаллических пленок. В кн.: Рост кристаллов. Т. 10. М., "Наука". 1974.
- Шефталь H.H. Предисловие к кн.: Кристаллизация из газовой фазы. М., "Мир", 1965.