Об ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примесей

References

1. Баранский П.И., Марин К.Г. Исследование факторов, влияющих на однородность, удельного сопротивления кристаллов германия, выращиваемых Из расплава. В кн.: Рост кристаллов» Т.6. М., „Наука", 1965.
2. Воронков В.В. Коэффициент захвата примеси из расплава как функция скорости роста и угла наклона ступенчатой поверхности. В кн.: IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов. Выращивание кристаллов и их структура, ч. 2. Ереван. Изд-во АН АрмССР, 1972.
3. Воронков В.В. Переохлаждение на грани, возникающей на округлом фронте кристаллизации. „ Кристаллография", 1972, т. 37, № 5.
4. Воронков В.В. Влияние примеси на скорость слоистого роста из расплава. "Кристаллография", 1974, т. 19, № 3.
5. Евзикова Н.З. Принципы структурно-геометрического анализа граней кристаллов. Зап. ВМО, 1965, ч. 94, вып. 2.
6. Любалин М.Д., Мокиевский В.А. Морфологическое исследование кристаллов германия, полученных по Чохральскому. В кн.: Материалы I Совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., изд. ФТН АН СССР, 1968.
7. Любалин М.Д., Мокиевский В.А. Форма кристаллов германия, выращенных по Чохральскому. „ Кристаллография" 1968, т. 13, № 4.
8. Любалин М.Д. Монология кристаллов германия, выращенных по методу Чохральского. Автореф. на соиск. учен. степ. канд. минерал, наук. Л., 1969 (Лен. горный ин-т им. В.Г. Плеханова).
9. Любалин М.Д. Кинетическая обусловленность эффективных коэффициентов распределения примесей при выращивании кристаллов из расплавов. В кн.: Третья Всесоюзная конференция по физике—химическим основам легирования полупроводниковых материалов (тезисы докладов). М., изд. ИМЕГ АН СССР, 1975.
10. Распределение сурьмы в монокристаллах германия в зависимости от кристаллографического направления вытягивания и глубины легирования. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1970, т. 12, № 7. Авт.: М.Д.Любалин, В.Н.Третьяков, В.А.Кузнецов, Ю.М.Смирнов.
11. Таршис Л.А., Тиллер В.А. Влияние кинетики присоединения частиц к кристаллу на морфологическую устойчивость поверхности раздела фаз при кристаллизации расплава., В кн.: Проблемы роста кристаллов. М., "Мир", 1968.
12. Третьяков В.Н., Кассациер Э.Л. Ориентированная резка кристаллов. В кн.: Новые исследования в геологии. Изд. ЛГИ, 1975, вып. 5.
13. Шафрановский И.И. Лекции по кристалломорфологии минералов. Изд. 2-е. М., "Высшая школа", 1968.
14. Аbе Такао. Journ. Crist. Growth, v.24/25, 1974.
15. Вurtоn J.A., Prim R.C., Slichter W.P. Journ. Chem. Pbys., v.21, № 11, 1953, p.1987-1991.
16. Вriсe J.C., Whiffin F.A.C. Solid-State Electronics, v.7. H 2, 1964, p.183-187.
17. Hall R.H. Journ. Phys. Chem., v.57, № 8, 1953, p.836-839.