Фотоэлектрический метод детектирования водорода
Об авторах
- 1 — канд. техн. наук доцент Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет)
- 2 — докторант Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
- 3 — аспирант Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
- 4 — старший научный сотрудник Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
Аннотация
Предложен новый фотоэлектрический метод детектирования водорода, в основе которого лежит использование сильной зависимости фотоЭДС гетероструктур A 3 B 5 с Pd-контактом от концентрации водорода. Данное влияние при комнатной температуре на несколько порядков сильнее, чем лежащее в основе существующих сенсоров влияние водорода на электрические характеристики твердотельных элементов. Разработана оригинальная конструкция малогабаритного сенсорного модуля на основе фоточувствительного элемента и инфракрасного светодиода, отвечающая требованиям водородной энергетики.
Литература
- Ковалевская Г.Г. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p-p+-InP и изменение их в атмосфере водорода // Физика и техника полупроводников. 1992. Т.26. № 10. С.1750-1754.
- Столетний меморандум, 13 ноября 2006 // Альтернативная энергетика и экология. 2007. № 3(47). С.11.
- Arutyunian V.M. Hydrogen sensors // International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology. 2007. Vol.3. P.33-42.
- Fields L.L., Zheng J.P., Cheng Y. and Xiong P. Room-temperature low-power hydrogen sensor based on a single tin dioxide nanobelt // Applied Physics Letters. 2006. Vol.88. P.263102.
- Ito K. Hydrogen – sensitive Schottky barrier diodes // Surf. Sci. 1979. Vol.86. P.345.
- Jamamoto N., Tonomura S., Matsuoka T., Tsubomura H. A study on a palladium – titanium oxide Shottky diode as a detector for gaseous components // Surf. Sci. 1980. Vol.92. P.400.
- Lundström I., Shivaraman M.S., Svensson C.M. A hydrogen – sensitive Pd-gate MOS transistor // J. Appl. Phys. 1975. Vol.46. N 9. P.3876.
- Steele M.C., Hile L.W., Maclver B.A. Hydrogen – sensitive palladium gate MOS capacitors // J. Appl. Phys. 1976. Vol.47. N. 6. P.2537.
- Yousuf M., Kuliyev B., Lalevic B. Pd-InP Schottky diode hydrogen sensors // Sol.-St Electron. 1982. Vol.25. N 8. P.753.
Похожие статьи
Инновационные изменения в понимании научного текста как основы получения информации
2010 И. В. Мальцев
Измерение эмиссионных характеристик вольфрамовых термокатодов в приборах плазменной энергетики
2010 А. С. Мустафаев, Н. С. Пщелко, А. В. Морин, А. Б. Цыганов