Подать статью
Стать рецензентом
Том 199
Страницы:
190
Скачать том:
RUS

Практика внедрения безосадочных технологий при строительстве Санкт-Петербургского метрополитена

Авторы:
К. П. Безродный1
А. И. Салан2
В. А. Маслак3
В. А. Марков4
М. О. Лебедев5
Об авторах
  • 1 — ОАО НИПИИ «Ленметрогипротранс»
  • 2 — ОАО НИПИИ «Ленметрогипротранс»
  • 3 — ОАО НИПИИ «Ленметрогипротранс»
  • 4 — ОАО НИПИИ «Ленметрогипротранс»
  • 5 — ОАО НИПИИ «Ленметрогипротранс»
Дата отправки:
2011-11-26
Дата принятия:
2012-01-13
Дата публикации:
2012-12-29

Аннотация

Повсеместно в Санкт-Петербурге верхние слои представлены четвертичными отложениями, уровень грунтовых вод находится примерно в 2,5 м от поверхности. Ниже четвертичных отложений на глубине 40-60 м находятся кембрийские (протерозойские) глины. На дневной поверхности много старинных зданий, имеющих историческую и архитектурную ценность, которые не терпят осадок дневной поверхности. Строительство станций и эскалаторных наклонных тоннелей вызывает  осадки поверхности. В Петербурге разработаны технологии сооружения эскалаторных тоннелей и станционных тоннелей, минимизирующих осадки дневной поверхности.

Перейти к тому 199

Похожие статьи

Напряженно-деформированное состояние системы «грунт – свайные фундаменты» на различных этапах возведения высотных зданий
2012 Д. А. Потемкин, П. А. Деменков, В. Н. Очнев, А. Д. Куранов
Расчет точности построения разбивочной сети с использованием спутниковых навигационных систем
2012 В. Г. Потюхляев
Способ прокладки подземного трубопровода в зонах с повышенной сейсмичностью
2012 А. К. Николаев, В. П. Докукин, О. Ф. Путиков
Физическое моделирование в ходе научного сопровождения строительства подземных сооружений метрополитена в условиях Санкт-Петербурга
2012 Ю. С. Фролов, А. Н. Коньков, А. А. Ларионов
Влияние гидрогеологических условий на безопасность освоения подземного пространства при строительстве транспортных тоннелей
2012 Р. Э. Дашко, П. В. Котюков, А. В. Шидловская
Расчет параметров нового способа перекрепления выработок
2012 Н. Н. Касьян, И. Г. Сахно, А. О. Новиков, Н. А. Овчаренко