Знание ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примеси КЭф между твердой и жидкой фазами при росте кристаллов из расплава необходимо для правильного проведения легирования с целью получения полупроводниковых кристаллов с заданными свойствам ...
В минералогический музей ЛГИ поступил эффектный образец германия, представлявшей собой верхнюю часть крупного кристалла, выращенного из расплава по методу вытягивания, устройство для реализации которого показано на рис...
В промышленном производстве полупроводникового кремния внешней форме монокристаллов уделяется большое внимание. Установлено, что непосредственно в процессе выращивания из расплава по некоторым особенностям формы кристаллов мокко составить представление об их внутреннем строении, в том числе о дислокационной структуре ....
Результаты гониометрических измерений кристаллов германия, полученных вытягиванием их расплава при различной кристаллографической ориентировке затравки, приведены в статье Г. Новака. Кроме того, в статье Г. Новака показана главенствующая морфологическая роль граней {111} и направлений <110> и <112>, отмечено наличие ряда вициналей и отсутствие световых максимумов от форм {100} и {110}.
