Предлагаемый полупроводниковый микросенсорный элемент для непрерывного и оперативного контроля состояния газовой среды в качестве основы включает полупроводниковую оксидную пленку, получаемую магнетронным методом на установке УВН-71. Разработанная технология обеспечивает рост пленки до 0,8 мкм с последующей термообработкой при одновременном контроле ее сопротивления. Испытания в лаборатории позволили выявить высокие газовую чувствительность элемента и его быстродействие, а также особенности работы сенсора в статическом и динамическом режимах. Импульсный режим работы сенсора предпочтителен с точки зрения его долговечности и точности измерений.
