Подать статью
Стать рецензентом
Том 29 Вып. 3
Страницы:
114-130
Скачать том:
RUS
Научная статья

Фотогальванический эффект на двуокиси титана

Авторы:
3. Е. Лобанова
Дата отправки:
1953-09-13
Дата принятия:
1953-11-19
Дата публикации:
1954-07-27

Аннотация

Необходимым условием возникновения фотогальванического эффекта является наличие на чистой металлической поверхности освещаемого электрода пленки окисных, галоидных или сернистых соединений металлов. Можно утверждать, что большинство исследованных фоточувствительных слоев представляет соединения, относящиеся к типу полупроводников, и фотогальванический элемент можно рассматривать как систему, состоящую из полупроводника, граничащего с металлическим электродом, с одной стороны, и электролитом — с другой. Таким образом, естественно сопоставление фотогальванического эффекта с внутренним фотоэффектом, характерным для полупроводников. Преимущество двуокиси титана по сравнению с закисью меди заключается в его химической инертности, которая позволяет широко менять условия среды, граничащей с электродом. На основании спектральной характеристики положительного и отрицательного знаков можно прийти к заключению, что фототоки обоих знаков обусловлены независимыми друг от друга электронными процессами в полупроводнике.

Область исследования:
(Архив) Металлургия и обогащение
Перейти к тому 29

Литература

  1. Веселовский В. Фотогальванический процесс на Ag-электроде. Журнал физической химии, 1939, т. XV.
  2. Веселовский В. Применение светоэлектрохимического метода к исследованию гетерогенной сенсибилизации. Журнал физической химии, 1947, т. XXI.
  3. Веселовский В. К вопросу об элементарном фотогальваническом акте. Журнал технической физики, 1943, т. XX.
  4. В. Фотоэлектрохимический процесс и механизм выделения кислорода
  5. на Pt. Журнал физической химии, 1950, т. XXIV.
  6. Веселовский В. Механизм фотоэлектрохимического процесса на Ag — Ag2О. Журнал физической химии. 1948, т. XXII.
  7. Волькенштейн Ф. О. Электропроводность полупроводников. Гостехиздат, 1947.
  8. Волькенштейн Ф. О. некоторых особенностях адсорбции, обусловленной тепловым беспорядком на поверхности кристалла. Журнал физической химии, 1949 т. XXII.
  9. Есин О. и Беклемешева Т. О механизации возникновения потенциала в чужеиопных растворах. Журнал общей химии, 1934, т. IV.
  10. Лепень. Поверхностные соединения и поверхностные химические реакции. Успехи химии, 1940, т. IX.
  11. Орестов И. О поведении электродов в растворах чужеродных ионов. Журнал физической химии, 1938, т. IX.
  12. Теренин А. Фотохимия красителей. Изд. АН СССР, 1947.
  13. Tamm I. Phys. Z. d. Socv. Un. 1932, № VI.
  14. Andubert R. Comptes Rendus. 1933, № 177.
  15. Andubert R. Comptes Rendus. 1924, № 179.
  16. Andubert R. Comptes Rendus. 1931, № 193.
  17. Crube und Baumeister. Zeitschr. f. Elektroch. 1924, № 30.
  18. Earlie D. Phys. Chem. 1939, № 184.
  19. Rao G. Zeitschr. Phys. Chem. 1939, № 184.
  20. Athanasin G. Comptes Rendus. 1925, № 180.
  21. Garrison A. J. Phys. Chem. 1923, № 27.
  22. Scheopard S. J. Phys. Chem. 1923, №27.
  23. Hober. Naturwissen. 1931, № 19.

Похожие статьи

Вероятности сильно флуктуирующих величин
1954 М. Л. Вержбинский, О. В. Сарманов, Р. Э. Соловейчик
К расчету на прочность по предельным нагрузкам при изгибе
1954 И. И. Тарасенко
Исследование механических и технологических свойств свинцовых латуней
1954 Н. Н. Иванов-Скобликов
Об интегральных трансформациях со стохастическим ядром
1954 О. В. Сарманов
Об одном классе линейных интегро-дифференциальных уравнений в частных производных первого порядка
1954 Т. И. Виграненко
Исследование упругой линии полужесткой муфты
1954 Л. С. Бурштейн