Submit an Article
Become a reviewer
Vol 29 No 3
Pages:
114-130
Download volume:
RUS

Фотогальванический эффект на двуокиси титана

Authors:
Unknown
Date submitted:
1953-09-13
Date accepted:
1953-11-19
Date published:
1954-07-27

Abstract

Необходимым условием возникновения фотогальванического эффекта является наличие на чистой металлической поверхности освещаемого электрода пленки окисных, галоидных или сернистых соединений металлов. Можно утверждать, что большинство исследованных фоточувствительных слоев представляет соединения, относящиеся к типу полупроводников, и фотогальванический элемент можно рассматривать как систему, состоящую из полупроводника, граничащего с металлическим электродом, с одной стороны, и электролитом — с другой. Таким образом, естественно сопоставление фотогальванического эффекта с внутренним фотоэффектом, характерным для полупроводников. Преимущество двуокиси титана по сравнению с закисью меди заключается в его химической инертности, которая позволяет широко менять условия среды, граничащей с электродом. На основании спектральной характеристики положительного и отрицательного знаков можно прийти к заключению, что фототоки обоих знаков обусловлены независимыми друг от друга электронными процессами в полупроводнике

Go to volume 29

References

  1. Веселовский В. Фотогальванический процесс на Ag-электроде. Журнал физической химии, 1939, т. XV.
  2. Веселовский В. Применение светоэлектрохимического метода к исследованию гетерогенной сенсибилизации. Журнал физической химии, 1947, т. XXI.
  3. Веселовский В. К вопросу об элементарном фотогальваническом акте. Журнал технической физики, 1943, т. XX.
  4. В. Фотоэлектрохимический процесс и механизм выделения кислорода
  5. на Pt. Журнал физической химии, 1950, т. XXIV.
  6. Веселовский В. Механизм фотоэлектрохимического процесса на Ag — Ag2О. Журнал физической химии. 1948, т. XXII.
  7. Волькенштейн Ф. О. Электропроводность полупроводников. Гостехиздат, 1947.
  8. Волькенштейн Ф. О. некоторых особенностях адсорбции, обусловленной тепловым беспорядком на поверхности кристалла. Журнал физической химии, 1949 т. XXII.
  9. Есин О. и Беклемешева Т. О механизации возникновения потенциала в чужеиопных растворах. Журнал общей химии, 1934, т. IV.
  10. Лепень. Поверхностные соединения и поверхностные химические реакции. Успехи химии, 1940, т. IX.
  11. Орестов И. О поведении электродов в растворах чужеродных ионов. Журнал физической химии, 1938, т. IX.
  12. Теренин А. Фотохимия красителей. Изд. АН СССР, 1947.
  13. Tamm I. Phys. Z. d. Socv. Un. 1932, № VI.
  14. Andubert R. Comptes Rendus. 1933, № 177.
  15. Andubert R. Comptes Rendus. 1924, № 179.
  16. Andubert R. Comptes Rendus. 1931, № 193.
  17. Crube und Baumeister. Zeitschr. f. Elektroch. 1924, № 30.
  18. Earlie D. Phys. Chem. 1939, № 184.
  19. Rao G. Zeitschr. Phys. Chem. 1939, № 184.
  20. Athanasin G. Comptes Rendus. 1925, № 180.
  21. Garrison A. J. Phys. Chem. 1923, № 27.
  22. Scheopard S. J. Phys. Chem. 1923, №27.
  23. Hober. Naturwissen. 1931, № 19.

Similar articles

Вероятности сильно флуктуирующих величин
1954
Cовременное состояние вопроса исследования и построения диаграммы состояния тройной системы [медь — марганец — алюминий]
1954
О физических основах деформирования и разрушения металлов
1954
Исследование упругой линии полужесткой муфты
1954
Исследование механических и технологических свойств свинцовых латуней
1954
Об одном классе линейных интегро-дифференциальных уравнений в частных производных первого порядка
1954