Необходимым условием возникновения фотогальванического эффекта является наличие на чистой металлической поверхности освещаемого электрода пленки окисных, галоидных или сернистых соединений металлов. Можно утверждать, что большинство исследованных фоточувствительных слоев представляет соединения, относящиеся к типу полупроводников, и фотогальванический элемент можно рассматривать как систему, состоящую из полупроводника, граничащего с металлическим электродом, с одной стороны, и электролитом — с другой. Таким образом, естественно сопоставление фотогальванического эффекта с внутренним фотоэффектом, характерным для полупроводников. Преимущество двуокиси титана по сравнению с закисью меди заключается в его химической инертности, которая позволяет широко менять условия среды, граничащей с электродом. На основании спектральной характеристики положительного и отрицательного знаков можно прийти к заключению, что фототоки обоих знаков обусловлены независимыми друг от друга электронными процессами в полупроводнике.
В работах по фотогальваническим явлениям приведено большое количество экспериментального материала. Выяснение общих закономерностей, которым подчиняются эти явления, осложняется тем, что фотоэффект возникает в системе „электрод — раствор", где малейшие изменения проявляются в нарушении установившегося потенциала. В силу этих соображений результаты, полученные различными авторами для одного и того же объекта, разноречивы и зачастую невоспроизводимы. В данной статье установлен ряд важных закономерностей (см. статью).
