Подать статью
Стать рецензентом
М. П. Гаонкар
М. П. Гаонкар
научный сотрудник, магистр химии
Геммологический институт Индии
научный сотрудник, магистр химии
Геммологический институт Индии
Мумбаи
Индия

Публикации

Геология
  • Дата отправки
    2023-02-10
  • Дата принятия
    2023-09-20
  • Дата публикации
    2024-04-25

Распределение радиационных дефектов по глубине в облученных алмазах: данные конфокальной микроспектроскопии

Читать аннотацию

Исследована природа окраски пяти алмазов. Согласно результатам исследования с применением методов инфракрасной спектроскопии на основе преобразования Фурье, исследования поглощения в УФ, видимой и ближней ИК-областях (UV-Vis-NIR) и фотолюминесцентной спектроскопии, они являются природными алмазами типа Ia. Распределение интенсивности окраски по глубине определялось путем измерения интенсивности пика ФЛ при 741 нм (центр GR1) при возбуждении лазером с длиной волны 633 нм на рамановском конфокальном микроскопе. Для учета геометрических факторов профили распределения дефектов были нормализованы относительно интенсивности рамановского пика алмаза (691 нм). Для двух алмазов интенсивность пика GR1 (741 нм) резко снижалась до глубины 10 мкм, а затем сравнялась с фоновым уровнем, что характерно для облучения α-частицами из природных источников, таких как уран. В трех кристаллах профили незначительно меняются с глубиной, а интенсивность окраски близка к равномерной, что характерно для электронного или нейтронного облучений.

Как цитировать: Ардалкар Р.М., Салунхе Й.Д., Гаонкар М.П., Мане С.Н., Гаисас О.А., Десаи Ш.Н., Редди А.В.Р. Распределение радиационных дефектов по глубине в облученных алмазах: данные конфокальной микроспектроскопии // Записки Горного института. 2024. Т. 266. С. 179-187. EDN XGGRVF