Подать статью
Стать рецензентом
В. В. Анзель
В. В. Анзель

Соавторы

Публикации

Научная статья
  • Дата отправки
    1965-08-04
  • Дата принятия
    1965-10-01

Прибор для наблюдения выходных характеристик транзисторов

Читать аннотацию

В практике геофизического приборостроения широко распространены полупроводниковые диоды и триоды, которые позволяют значительно повысить экономичность, снизить габариты и вес аппаратуры. Однако полупроводниковые приборы, обладая высокими эксплуатационными качествами, при современном уровне технологии производства харак­теризуются разбросом параметров. Поэтому при конструировании ответ­ственных узлов аппаратуры необходимо подбирать диоды и особенно триоды по их электрическим свойствам. Наиболее полное представление об усилительных свойствах транзисторов дает анализ их выходных характеристик. Поскольку процесс снятия характеристик по точкам трудоемок, существуют приборы, позволяющие осуществлять визуальное наблюдение выходных характеристик транзисторов на экране осциллографа. Такие приборы выполнены в СССР и за рубежом в различных модификациях в зависимости от круга решаемых задач и требуемой точности наблюдений. Относительно универсальные установки имеют сложную электронную схему, более простые, как правило, обеспечивают возможность лишь качественной оценки усилительных свойств транзисторов ...

Как цитировать: Синицын А.Я., Габитов Р.М., Шевченко Г.Д., Анзель В.В., Политов Э.К. Прибор для наблюдения выходных характеристик транзисторов // Записки Горного института. 1966. Т. 51. Вып. 2. С. 137-141.