2411-3336 2541-9404 Записки Горного института Journal of Mining Institute Санкт-Петербургский горный университет императрицы Екатерины ΙΙ Empress Catherine II Saint Petersburg Mining University pmi-6638 https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/6638 Фундаментальные и прикладные исследования в области физики и математики Applied and fundamental research in physics and mathematics Use of mosfet for the control of dielectric characteristics Использование полевых транзисторов для контроля характеристик диэлектриков Pshchelko N. S. Пщелко Н. С. Pshchelko N. S. nikolsp@mail.ru Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет) (Россия) Saint Petersburg State Mining Institute (Technical University) (Russia) Mustafaev A. S. Мустафаев А. С. Mustafaev A. S. alexmustafaev@yandex.ru Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет) (Россия) Saint Petersburg State Mining Institute (Technical University) (Russia) 25 06 2010 2010 187 125 131 26 09 2009 22 11 2009 25 06 2010 © 2010 Н. С. Пщелко, А. С. Мустафаев © 2010 N. S. Pshchelko, A. S. Mustafaev 2010 Н. С. Пщелко, А. С. Мустафаев N. S. Pshchelko, A. S. Mustafaev Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0) This article is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC BY 4.0) https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/6638

Предложено устройство для измерения на постоянном напряжении основных электрических характеристик высокоомных диэлектрических материалов и изделий из них: электрической емкости и сопротивления. Принцип работы устройства основан на использовании переходных процессов в последовательно соединенных элементах, имеющих электрические емкость и сопротивление. В электрической схеме устройства используется МДП-транзистор с большим входным сопротивлением. Рассмотрено также устройство на основе МДП-транзистора для измерения поверхностного потенциала диэлектриков. Использование этого устройства особенно эффективно при измерении поверхностного потенциала электретов. Обсуждены результаты исследования электретов на основе диоксида кремния.

In this work a device for measurement on a constant voltage of the basic electric characteristics of high-resistance dielectric materials and products from – their electric capacitance and resistance – is developed. The principle of work of the device is based on use of transients in connected in sereies elements having electric capacity and resistance. In the electric circuit of the device the MOSFET with high entrance resistance is used. The device on the basis of the MOSFET for measurement of surface potential of dielectrics is considered also. Use of this device is especially effective at measurement of electret surface potential. Results of research of electrets on a basis of silicon dioxide are discussed.

 Ключевые слова измерение электрической емкости и сопротивления МДП-транзистор электрет Keywords measurement of electric capacitance and resistance MOSFET electret Пат. 2132116 РФ. H 04 R 29/00. Способ определения качества электретных электроакустических преобразователей и устройство для его реализации / Ф.И.Баталов, Н.С.Пщелко., А.С.Ястребов. Опубл. 27.05.99. Бюл. № 17. Ч.2. The patent of the Russian Federation №2132116 H 04 R 29/00. Way of definition of quality of electret electroacoustic transducers and the device for its realization / F.I.Batalov, N.S.Pshchelko, А.S.Yastrebov. Published on 27.05.99. Bjul. № 17. Part.2. Ганибалов А.А. Комплексное исследование диэлектрических и физико-механических свойств реальных керамических микроизделий / А.А.Ганибалов, Г.М.Марчук, Н.С.Пщелко, В.Н.Рудаков, А.А.Самодуров // Дефектоскопия. 1989. № 7. Ganibalov A.A., Marchuk G.M, Pshchelko N.S., Rudakov V.N, Samodurov A.A. Сomplex research of dielectric and physicomechanical properties of real ceramic microproducts // Defektoskopija. 1989. № 7. Григорьев О.П. Транзисторы: Справочник / О.П.Григорьев, В.Я.Замятин, Б.В.Кондратьев, С.Л.Пожидаев. М., 1989. Grigoriev O.P., Zamyatin V.J., Kondratyev B.V., Pozhidaev S.L. Transistors: the Directory. Moscow, 1989. Сесслер Г.М. Электреты. М., 1983. Zessler G.M. Electrets. Moscow, 1983.