<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" dtd-version="1.4" article-type="research-article">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">2411-3336</journal-id>
      <journal-id journal-id-type="eissn">2541-9404</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="ru">Записки Горного института</journal-title>
        <journal-title xml:lang="en">Journal of Mining Institute</journal-title>
      </journal-title-group>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="ru">Санкт-Петербургский горный университет императрицы Екатерины ΙΙ</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="en">Empress Catherine II Saint Petersburg Mining University</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>
      <article-id pub-id-type="doi">10.25515/pmi.2018.2.146</article-id>
      <article-id custom-type="pmi" pub-id-type="custom">pmi-11902</article-id>
      <article-id pub-id-type="uri">https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/11902</article-id>
      <article-categories>
        <subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru">
          <subject>Металлургия и обогащение</subject>
        </subj-group>
        <subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en">
          <subject>Metallurgy and concentration</subject>
        </subj-group>
      </article-categories>
      <title-group>
        <article-title xml:lang="en">Use of nano-dimensional hydrophobic coatings for obtaining electrets based on silicon dioxide</article-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий для получения электретов на основе диоксида кремния</trans-title>
        </trans-title-group>
      </title-group>
      <contrib-group>
        <contrib contrib-type="author" corresp="yes">
          <name name-style="eastern">
            <surname>Pshchelko</surname>
            <given-names>N. S.</given-names>
          </name>
          <name-alternatives>
            <name name-style="eastern" xml:lang="ru">
              <surname>Пщелко</surname>
              <given-names>Н. С.</given-names>
            </name>
            <name name-style="western" xml:lang="en">
              <surname>Pshchelko</surname>
              <given-names>N. S.</given-names>
            </name>
          </name-alternatives>
          <email>nikolsp@mail.ru</email>
          <xref ref-type="aff" rid="aff1"/>
        </contrib>
        <aff-alternatives id="aff1">
          <aff>
            <institution xml:lang="ru">Военная академия связи им. С.М.Буденного (Санкт-Петербург, Россия)</institution>
          </aff>
          <aff>
            <institution xml:lang="en">Military Academy of Telecommunications Named After S.M.Budyonny (Saint-Petersburg, Russia)</institution>
          </aff>
        </aff-alternatives>
      </contrib-group>
      <pub-date pub-type="epub" iso-8601-date="2018-04-24">
        <day>24</day>
        <month>04</month>
        <year>2018</year>
      </pub-date>
      <pub-date date-type="collection">
        <year>2018</year>
      </pub-date>
      <volume>230</volume>
      <fpage>146</fpage>
      <lpage>152</lpage>
      <history>
        <date date-type="received" iso-8601-date="2017-11-15">
          <day>15</day>
          <month>11</month>
          <year>2017</year>
        </date>
        <date date-type="accepted" iso-8601-date="2018-01-13">
          <day>13</day>
          <month>01</month>
          <year>2018</year>
        </date>
        <date date-type="rev-recd" iso-8601-date="2018-04-24">
          <day>24</day>
          <month>04</month>
          <year>2018</year>
        </date>
      </history>
      <permissions>
        <copyright-statement xml:lang="ru">© 2018 Н. С. Пщелко</copyright-statement>
        <copyright-statement xml:lang="en">© 2018 N. S. Pshchelko</copyright-statement>
        <copyright-year>2018</copyright-year>
        <copyright-holder xml:lang="ru">Н. С. Пщелко</copyright-holder>
        <copyright-holder xml:lang="en">N. S. Pshchelko</copyright-holder>
        <license license-type="open-access" xlink:href="http://creativecommons.org/licenses/by/4.0" xml:lang="ru">
          <license-p>Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)</license-p>
        </license>
        <license license-type="open-access" xlink:href="http://creativecommons.org/licenses/by/4.0" xml:lang="en">
          <license-p>This article is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License (CC BY 4.0)</license-p>
        </license>
      </permissions>
      <self-uri xlink:type="simple" xlink:href="https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/11902">https://pmi.spmi.ru/pmi/article/view/11902</self-uri>
      <abstract xml:lang="ru">
        <p>Рассмотрены физико-технологические основы формирования электрета на основе диоксида кремния (SiO2) для использования его в устройствах микросистемной техники. Исследования показали, что лучшими электретными свойствами обладает SiO2, полученный в атмосфере «влажного» кислорода, по сравнению с образцами, полученными другими методами окисления. Вероятно, это связано с большим количеством групп Si-ОН на поверхности оксида во «влажном» SiO2, что повышает эффективность действия гидрофобизирующих покрытий при модификации поверхности SiO2. Выявлено, что другие способы получения окисла, например, электрохимический или плазмохимический, не позволяют получить SiO2 с хорошими электретными свойствами. Уменьшение инжектированного в электрет заряда может происходить вследствие наличия объемной или поверхностной проводимости, а также экранировки этого заряда зарядами противоположного знака из атмосферы, приводящих при высокой окружающей влажности к катастрофическому падению поверхностного потенциала электрета. С целью увеличения стабильности электретного эффекта необходима гидрофобизация поверхности SiO2 – нанесение на его поверхность тонких (наноразмерных) водоотталкивающих покрытий. Приведены экспериментальные результаты по стабильности электретного поверхностного потенциала при использовании различных гидрофобизаторов. Наиболее перспективными для использования в качестве гидрофобизаторов являются высокотемпературный фоторезист ФПТ-1-40 и полиимидные нанослоевые композиции – пленки Ленгмюра – Блоджетт.</p>
      </abstract>
      <abstract xml:lang="en">
        <p>The article considers the physical-technological foundations of formation of the silicon dioxide (SiO2) based electret for use in devices of MEMS technology. Studies have shown that the best electret properties are in SiO2 obtained in «wet» oxygen medium as compared to samples obtained by other oxidation methods. This is probably due to the large number of Si-OH groups on the surface of the oxide in the «wet» SiO2, which increases the effectiveness of the hydrophobic coatings during the modification of the SiO2 surface. It has been found that other methods of obtaining oxide, for example, electrochemical or plasmachemical, do not make it possible to obtain SiO2 with good electret properties. The decrease of the charge injected into an electret can occur due to the presence of volume or surface conductivity, as well as the screening of this charge by opposite charges from the medium, leading to significant decrease of electret surface potential at high ambient humidity. To increase the stability of the electret effect, it is necessary to perform water-repellency treatment of SiO2 surface by applying thin (nanosized) water-repellent coatings. Experimental results on the stability of the electret surface potential are presented for usage of various water repellents. The most promising water repellents are high-temperature photoresist FPT-1-40 and polyimide nanolayer compositions – Langmuir-Blodgett films.</p>
      </abstract>
      <kwd-group xml:lang="ru">
        <title>Ключевые слова</title>
        <kwd>электрическое поле</kwd>
        <kwd>электрет</kwd>
        <kwd>диоксид кремния</kwd>
        <kwd>гидрофобизация</kwd>
      </kwd-group>
      <kwd-group xml:lang="en">
        <title>Keywords</title>
        <kwd>electric field</kwd>
        <kwd>electret</kwd>
        <kwd>silicon dioxide</kwd>
        <kwd>water-repellency treatment</kwd>
      </kwd-group>
    </article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list>
      <ref id="ref1">
        <label>1</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А.Гороховатский, Г.А.Бордовский. М.: Наука, 1991. 248 с.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref2">
        <label>2</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Козодаев Д.А. Электретный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3 N4: Автореф. дис…канд. техн. наук / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет. СПб, 2002. 16 с.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref3">
        <label>3</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Кузьмин Ю.И. Перколяционная модель релаксации электрета / Ю.И.Кузьмин, В.Н.Таиров // ЖТФ. 1984. Т. 54. № 5. С. 964-965.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref4">
        <label>4</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Модификация термостойких фотолаков для новых областей применения / Н.В.Климова, Г.К.Лебедева, Н.С.Пщелко, Л.В.Рудая, И.М.Соколова, Т.А.Юрре // Петербургский журнал электроники. 2002. № 3. С. 33-37.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref5">
        <label>5</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. В.В.Лучинина, Ю.М.Таирова. М.: Физматлит. 2006. 552 c.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref6">
        <label>6</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ методом Ленгмюра – Блоджетт / С.И.Голоудина, П.П.Карагеоргиев, В.В.Лучинин, В.М.Пасюта // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 12. С. 34-38.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref7">
        <label>7</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2562505. Способ повышения эффективности сгорания углеводородного топлива / В.С.Нагорный, Д.Ю.Колодяжный, Е.Ю.Марчуков, С.А.Федоров, Н.С.Пщелко. Опубл. 27.06.2015. Бюл. № 25.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref8">
        <label>8</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Полиимидные нанослоевые композиции, как стабилизирующие покрытия микроэлектронных структур / С.И.Голоудина, В.М.Пасюта, Д.А.Козодаев, В.В.Кудрявцев, В.В.Лучинин, В.П.Склизкова, В.И.Закржевский, Д.Э.Темнов // Петербургский журнал электроники. 2001. № 4. С. 79-86.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref9">
        <label>9</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Пщелко Н.С. Анализ влияния пространственного распределения заряда на электроадгезионные силы // Записки Горного института. 2016. Т. 218. С. 296-305.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref10">
        <label>10</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Пщелко Н.С. Методика определения параметров капсюлей конденсаторных структур с подвижными обкладками // Записки Горного института. 2010. Т. 187. С. 117-124.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref11">
        <label>11</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015661225. Программа для определения диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления высокоомных материалов / Т.Р.Акчурин, Н.С.Пщелко, Е.Г.Водкайло. Опубл.20.11.2015.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref12">
        <label>12</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016610272. Программа для контроля параметров емкостных структур методом вольт-фарадных характеристик / Т.Р.Акчурин, Е.Г.Водкайло, Н.С.Пщелко. Опубл. 20.02.2016.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref13">
        <label>13</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Kozodaev D.A. Analysis of Electret Sub-Miniature Microphones / D.A.Kozodaev, N.S.Pshchelko, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE – 10. Athens. 1999. P. 973-978.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref14">
        <label>14</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Low temperature wafer anodic bonding / J.Wei, H.Xie, M.L.Nai, C.K.Wong, L.C.Lee // J.Micromech. Microeng. 2003. Vol. 13. P. 217-222.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref15">
        <label>15</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Pshchelko N.S. Modeling of physical and chemical processes of anodic bonding technology / N.S.Pshchelko, M.P.Sevryugina // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 513-518.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref16">
        <label>16</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">The Percolation Behavior of Electret at Presence of Water Condensation / U.I.Kuzmin, N.S.Pshchelko, I.M.Sokolova, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE –8. Paris. 1994. P. 124-129.</mixed-citation>
      </ref>
      <ref id="ref17">
        <label>17</label>
        <mixed-citation xml:lang="ru">Tomaev V.V. Polarization of Surface Layers of Ionic Dielectrics at the Interface Between the Electroadhesive Contact and a Dielectric / V.V.Tomaev, N.S.Pshchelko // Glass Physics and Chemistry. 2016. Vol. 42. № 1. P. 105-109.</mixed-citation>
      </ref>
    </ref-list>
  </back>
</article>
