В работах по фотогальваническим явлениям приведено большое количество экспериментального материала. Выяснение общих закономерностей, которым подчиняются эти явления, осложняется тем, что фотоэффект возникает в системе „электрод — раствор", где малейшие изменения проявляются в нарушении установившегося потенциала. В силу этих соображений результаты, полученные различными авторами для одного и того же объекта, разноречивы и зачастую невоспроизводимы. В данной статье установлен ряд важных закономерностей (см. статью).
Необходимым условием возникновения фотогальванического эффекта является наличие на чистой металлической поверхности освещаемого электрода пленки окисных, галоидных или сернистых соединений металлов. Можно утверждать, что большинство исследованных фоточувствительных слоев представляет соединения, относящиеся к типу полупроводников, и фотогальванический элемент можно рассматривать как систему, состоящую из полупроводника, граничащего с металлическим электродом, с одной стороны, и электролитом — с другой. Таким образом, естественно сопоставление фотогальванического эффекта с внутренним фотоэффектом, характерным для полупроводников. Преимущество двуокиси титана по сравнению с закисью меди заключается в его химической инертности, которая позволяет широко менять условия среды, граничащей с электродом. На основании спектральной характеристики положительного и отрицательного знаков можно прийти к заключению, что фототоки обоих знаков обусловлены независимыми друг от друга электронными процессами в полупроводнике
