Между гранями сдвойникованных кристаллов часто возникают входящие уг лы, по которым иногда можно определить закон двойникования. Входящие углы, как давно было замечено, способствуют ускоренному росту двойника по сравнению с монокристаллом. Однако при двойниковании входящие углы возникают не всегда. Иногда обобщенные грани сдвойникованных индивидов могут быть параллельными друг другу или образовывать «выходящие» углы ...
Изучение элементарного дислокационного механизма пластического течения кристаллов далеко не всегда может дать ответ на вопрос о макроскопическом преобразовании их внешней формы, которая является следствием коллективного движения дислокаций ...
Знание ориентационной зависимости эффективных коэффициентов распределения примеси К Эф между твердой и жидкой фазами при росте кристаллов из расплава необходимо для правильного проведения легирования с целью получения полупроводниковых кристаллов с заданными свойствам ...
Для кристаллов цинкита ZnO характерна точечная группа симметрии 6 тт и структура типа ворцита р63 m с . Обычно кристаллы цинкита, получаемые как из газовой фазы, так и гидротермальным методом, имеет призматическо- пирамидальный габитус ж формируются гранями (0001), (0001), (1010), (1011) ...
Практическое значение кристаллографических разновидностей простых форм, выведенных Г. Б. Бокием [1940], стало очевидным после вывода двойниковых законов ...
По закону образования тел растворения кристаллов, сформулированному В. Гольдшмидтом и Ф. Райтом [Goldschmidt, Wright. 1904], углы и вершины на теле растворения кристалла соответствуют полюсам граней, присутствующих при его росте; ребра зонам граней. Этот закон приводит А. Е. Ферсман [1955] в качестве правила, по которому следует отличать формы роста кристаллов от форм их растворения. В 1958 г. Ф. Франк показал, что если скорость растворения (роста) есть функция только ориентации его поверхности, то при растворении (росте) кристалла точка на поверхности данной ориентации имеет прямолинейную траекторию, направленную перпендикулярно к поверхности полярной диаграммы обратных скоростей растворения (роста) кристалла в соответствующей точке ...
Связь пластической деформации кристалла с механическим воздействием однозначно устанавливается при помощи симметрии. Фигура удара или давления есть деформация в точке. Симметрия покоящейся точки, по А. В. Шубникову, равна оо/оо т, а симметрия точки, движущейся в одном направлении, равна оот. Такой симметрией обладает полярный вектор. Напряжение на грани, создаваемое этим вектором, может быть эквивалентно описано двумерным полярным тензором с симметрией оо т ...
Изучая научные труды В. И. Михеева, прежде всего поражаешься исключительной целеустремленностью и четкостью основной линии его творчества. Эта линия — прямое продолжение и развитие трудов его учителя А. К- Болдырева, а тем самым и трудов Е. С. Федорова. Вот почему в наших глазам В. И. Михеев является выдающимся представителем федоровской школы, кристаллографо-минералогической школы Горного института. Чтобы проследить определяющие иерты творческого пути В. И. Михеева, необходимо вспомнить некоторые характерные моменты из его биографии.
