Подать статью
Стать рецензентом
Фундаментальные и прикладные исследования в области физики и математики

Использование полевых транзисторов для контроля характеристик диэлектриков

Авторы:
Н. С. Пщелко1
А. С. Мустафаев2
  • 1 — Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет)
  • 2 — Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет)
Дата отправки:
2016-12-15
Дата публикации:
2010-03-01

Аннотация

Предложено устройство для измерения на постоянном напряжении основных электрических характеристик высокоомных диэлектрических материалов и изделий из них: электрической емкости и сопротивления. Принцип работы устройства основан на использовании переходных процессов в последовательно соединенных элементах, имеющих электрические емкость и сопротивление. В электрической схеме устройства используется МДП-транзистор с большим входным сопротивлением. Рассмотрено также устройство на основе МДП-транзистора для измерения поверхностного потенциала диэлектриков. Использование этого устройства особенно эффективно при измерении поверхностного потенциала электретов. Обсуждены результаты исследования электретов на основе диоксида кремния.

Перейти к тому 187

Похожие статьи

Тест как форма итогового контроля знаний студентов экономических специальностей при изучении дисциплины «Деловой русский как иностранный»
2010 Е. А. Колесова
Распространение волны вертикальной поляризации в бесконечном плазменном слое с максимумом электронной концентрации
2010 А. В. Денисов
Антропология. Генетические аспекты эволюции
2010 Т. А. Ларина